PMOS, NMOS, CMOS의 구성
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작성일 22-12-20 13:16
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2)CMOS (complementary metal-oxide semiconductor)
가)CMOS란?
인버터 회로에 p-채널 transistor(트랜지스터) 와 n-채널 transistor(트랜지스터) 를 같이 구성하여 동작 속도는 늦지만 소비 전력이 아주 작은 반…(省略)
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레포트/자연과학
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PMOS, NMOS, CMOS의 구성의 구성에 관하여 사진과 理論(이론).
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설명
다.PMOS의 경우라면 n-type 기판에 형성된 p-channel을 사용하기에 gate에 - voltage를 가할 때 depletion이 일어나고 +이면 accumulation이 일어난다.
나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다. 일반적으로 Si에서는 hole의 mobility보다 eletron의 mobility가 더 크기에 NMOS쪽이 좀 더 속도가 빠르다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 transistor(트랜지스터) 를 MOS transistor(트랜지스터) 라고 한다. NMOS는 그 반대로 일어난다. 산화막에 의해 전류 통로로부터 절연된 게이트 전극에 전압을 인가하여, 소스 전극과 드레인 전극 간에 전류 통로를 제어함으로써 동작하는 transistor(트랜지스터) 를 MOS transistor(트랜지스터) 라고 한다.
PMOS, NMOS, CMOS의 구성
목차
1)PMOS
2)CMOS
본문내용
가)NMOS란?
N 채널 transistor(트랜지스터) 로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다.
나)PMOS란?
N형 금속 산화막 반도체(NMOS)보다 스위칭 속도가 느리다.
다)NMOS와 PMOS의 차이점
2)CMOS (complementary metal-oxide semiconductor)
가)CMOS란?
인버터 회로에 p-채널 transistor(트랜지스터) 와 n-채널 transistor(트랜지스터) 를 같이 구성하여 동작 속도는 늦지만 소비 전력이 아주 작은 반도체. 포켓 계산기나 손목시계 등의 휴대용 제품에 많이 사용된다
PMOS, NMOS, CMOS의 구성
1)PMOS (p-channel metal-oxide semiconductor)&NMOS (n-channel metal-oxide semiconductor)
가)NMOS란?
N 채널 transistor(트랜지스터) 로 구성되고, P형 기판을 사용하며 전류 통로를 흐르는 캐리어가 전자인 반도체. 속도는 빠르지만 전력 소모가 크다. 서로 다른 dophant로doping 된 기판 위에 형성된 MOS 구조이기에 Gate voltage도 반대로 작용하며 majority carrier도 각각 다르다.
다)NMOS와 PMOS의 차이점
PMOS와 NMOS의 차이는 각각 p-Channel (n-type Si) 구성인지n-Channel(p-type si)에 구성되어 있는지의 차이다. P형 금속 산화막 반도체(PMOS)는 정공을 캐리어로 하지만, NMOS는 전자를 캐리어로 하기 때문에 PMOS보다 스위칭 속도가 2~3배 빠르고, 전원의 극성이 플러스이기 때문에 양극성 집적 회로(IC)를 접속하기가 쉽다.
